[00694433]用于航空航天零件及医药生物材料处理的Model-3多功能等离子体浸没离子注入装置

等离子体浸没离子注入(PIII)技术克服了传统束线离子注入的直射性限制，能够在复杂形态零件表面获得具有强膜基结合力和优良表面性能的改性层，在零件表面强化处理领域具有广泛的应用前景。西南交通大学表面工程研究所和香港城市大学等离子体实验室均在进行生物医学材料如人工心脏瓣膜和血管支架表面改性处理的研究工作，其研究结果表明：PIII技术是这些生物医学材料表面改性处理的最佳方法。应他们多次要求，课题组在第一代PIII装置多年运行的基础上，吸收了近6年来课题组在PIII技术研究与工业应用开发方面取得的重大成果，对第一代PIII装置作了一系列重大改进后，为其研制成功了第三代多功能PIII装置。该装置既要求有高效离子注入的功能，同时又要求有高薄膜(包括金属膜、化合物膜等)沉积速率。为此，该装置配备了大功率强流脉冲阴极弧金属等离子体源，有效增强了金属离子注入与化合物膜沉积速率；开发了鞘层动力学计算机数值模拟软件，改善了注入剂量的均匀性：增大了高压脉冲电源的输出电源，提高了大尺寸零件处理的能力。在国家863，973计划及国家自然科学基金委员会的资助下，研究人员利用该装置为人工心脏瓣膜国产化研究作了大量的工作，取得了重大的进展。2001年7月3日，该装置通过了国防科学技术委员会组织的，以林尚杨院士为组长的专家组鉴定，专家组一致认为与目前国内外已运行的同类装置相比，该装置实际测得的金属等离子体源沉积速率、注入剂量均匀性和表面改性处理工艺均达到了国际先进水平。经济社会效益分析：第三代多功能PIII装置的研制成功，为多弧离子镀装置的技术改造树立了可依照的样板，并为PIII与MePIIID技术工业规模应用奠定了技术基础。同时，由于PIII技术能应用于航空航天、原子能、汽车、石油、精密仪器和机械、医药生物材料以及半导体材料处理与器件制作(Silicon-on-insulate技术)等高科技领域，对改善中国高技术产品总体质量能起到重要的作用。投资条件：MePIlID工业机设备总投资300万元人民币左右。