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[00302870]双3D结构的二氧化锰薄膜电极及其制备方法

交易价格: 面议

所属行业: 专用化学

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:CN201110269256.9

交易方式: 技术转让 技术转让 技术入股

联系人: 桂林电子科技大学

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所在地:广西壮族自治区桂林市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

本发明公开了一种超级电容器用具有双重3D结构的二氧化锰薄膜电极及其制备方法,采用具有3D结构的泡沫镍等泡沫金属集流体上覆盖另一3D结构的二氧化锰薄膜组成。

其制备方法是在泡沫镍等泡沫金属集流体上通过水热的方法直接反应制备得到二氧化锰薄膜。所述水热制备过程包括集流体清洗、溶液配制以及水热反应等步骤。

所制备的薄膜电极具有双重3D结构,且而作为超级电容器的电极具有良好的电容特性及较高的储能特性。

同现有技术相比较,本发明制备得到的超级电容器用二氧化锰薄膜电极,较现有二氧化锰电极具有更大的活性物质与电解液接触面积,具有更高的活性物质利用率和更高的比容量。

本发明公开了一种超级电容器用具有双重3D结构的二氧化锰薄膜电极及其制备方法,采用具有3D结构的泡沫镍等泡沫金属集流体上覆盖另一3D结构的二氧化锰薄膜组成。

其制备方法是在泡沫镍等泡沫金属集流体上通过水热的方法直接反应制备得到二氧化锰薄膜。所述水热制备过程包括集流体清洗、溶液配制以及水热反应等步骤。

所制备的薄膜电极具有双重3D结构,且而作为超级电容器的电极具有良好的电容特性及较高的储能特性。

同现有技术相比较,本发明制备得到的超级电容器用二氧化锰薄膜电极,较现有二氧化锰电极具有更大的活性物质与电解液接触面积,具有更高的活性物质利用率和更高的比容量。

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