[00286136]含锂硅溶胶掺杂PVDF复合凝胶聚合物电解质薄膜及制备方法
交易价格:
面议
所属行业:
专用化学
类型:
发明专利
技术成熟度:
正在研发
专利所属地:中国
专利号:CN201310045465.4
交易方式:
技术转让
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技术入股
联系人:
江苏科技大学
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所在地:江苏镇江市
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技术详细介绍
本发明公开了一种含锂硅溶胶掺杂PVDF复合凝胶聚合物电解质薄膜及制备方法,薄膜厚度为30~50μm,按质量百分比由组分:含锂硅溶胶为1~10%,分子量为5×105聚偏氟乙烯为30~48%,1M六氟合磷酸锂碳酸酯电解质为50~61%制备而成。其制备步骤为:首先通过溶胶凝胶法制备得到含锂硅溶胶,然后将含锂硅溶胶掺混PVDF的N’N-二甲基甲酰胺溶液,采用浸没沉淀法制备得到复合聚合物多孔膜,多孔膜经干燥后吸附液体电解质得到复合凝胶聚合物电解质薄膜。薄膜的离子导电率在30℃下达3.87×10-2Scm-1,电化学窗口达5.1V。本发明在聚合物锂离子电池等领域应用具有良好前景。
本发明公开了一种含锂硅溶胶掺杂PVDF复合凝胶聚合物电解质薄膜及制备方法,薄膜厚度为30~50μm,按质量百分比由组分:含锂硅溶胶为1~10%,分子量为5×105聚偏氟乙烯为30~48%,1M六氟合磷酸锂碳酸酯电解质为50~61%制备而成。其制备步骤为:首先通过溶胶凝胶法制备得到含锂硅溶胶,然后将含锂硅溶胶掺混PVDF的N’N-二甲基甲酰胺溶液,采用浸没沉淀法制备得到复合聚合物多孔膜,多孔膜经干燥后吸附液体电解质得到复合凝胶聚合物电解质薄膜。薄膜的离子导电率在30℃下达3.87×10-2Scm-1,电化学窗口达5.1V。本发明在聚合物锂离子电池等领域应用具有良好前景。