技术详细介绍
本实用新型涉及一种IPD带通滤波器，属于电子技术领域。本实用新型包括两层基板和一层集成LC带通滤波器；所述的两层基板是半导体硅基板；集成LC带通滤波器通过光刻、金属沉积、干法刻蚀、高温氧化刻蚀在第一层硅基板上，其中集成LC带通滤波器的电感和电容之间通过引线孔光刻技术实现连接；利用通孔和PCB载板接合封装，封装方式为芯片连接端通过TSV硅通孔技术形成通路。本实用新型具有高性价比、小尺寸、低插入损耗、选频性能好、温度稳定性好等优点。
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