[00253621]温梯法旋转多坩埚晶体生长系统
交易价格：
面议
所属行业：
种植
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN200610148317.5
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
科小易
进入空间
所在地：福建厦门市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
一种温梯法旋转多坩埚晶体生长系统，包括晶体炉，坩埚及其支撑装置和温度控制装置，其中晶体炉包括炉体、发热体和炉膛；炉体从外到内依次包括外壳、保温棉层、保温砖层和耐火层；坩埚支撑装置包括升降台，位于升降台上的多个坩埚导向管支架和导向管支架上的坩埚导向管，与升降台连接的引下装置，与引下装置连接的升降电机和电源，导向管支架和导向管之间设置有紧固装置，坩埚置于坩埚导向管内；其中所述的坩埚支撑装置是可旋转多坩埚支撑装置，所述的耐火层高度为炉膛总高度的2/3-5/6；所述的发热体位于炉膛1/4-1/2高度处。本发明能促进晶体掺杂，并且使掺杂能够均匀。
一种温梯法旋转多坩埚晶体生长系统，包括晶体炉，坩埚及其支撑装置和温度控制装置，其中晶体炉包括炉体、发热体和炉膛；炉体从外到内依次包括外壳、保温棉层、保温砖层和耐火层；坩埚支撑装置包括升降台，位于升降台上的多个坩埚导向管支架和导向管支架上的坩埚导向管，与升降台连接的引下装置，与引下装置连接的升降电机和电源，导向管支架和导向管之间设置有紧固装置，坩埚置于坩埚导向管内；其中所述的坩埚支撑装置是可旋转多坩埚支撑装置，所述的耐火层高度为炉膛总高度的2/3-5/6；所述的发热体位于炉膛1/4-1/2高度处。本发明能促进晶体掺杂，并且使掺杂能够均匀。
