[00249343]一种具有纳米SiC薄膜的叠层超级电容及其制备方法
交易价格：
面议
所属行业：
电子元器件
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201310186441.0
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
科小易
进入空间
所在地：福建厦门市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明涉及电力电子技术领域的超级电容的制造，设计了一种具有纳米SiC薄膜电极钙钛矿结构陶瓷介质的叠层超级电容的制备方法，包括以下步骤：a、制备纳米SiC浆料；b、制备电容极板；c、将电容极板和介质进行封装。本发明在金属基板上利用SiC材料制备纳米SiC薄膜，再经过热烧结工艺得到两面都均匀制备了纳米SiC薄膜的电容极板，一方面纳米SiC的比表面积大使电容器的容纳电荷的本领增大；另一方面采用超高介电常数的钙钛矿结构陶瓷介质使电容器的容纳电荷的本领增大；另外，绝缘的SiC隔板和叠成结构增大了电容器的耐压能力。该叠层超级电容成本低、储能大、耐压高、稳定性好、使用寿命长。
本发明涉及电力电子技术领域的超级电容的制造，设计了一种具有纳米SiC薄膜电极钙钛矿结构陶瓷介质的叠层超级电容的制备方法，包括以下步骤：a、制备纳米SiC浆料；b、制备电容极板；c、将电容极板和介质进行封装。本发明在金属基板上利用SiC材料制备纳米SiC薄膜，再经过热烧结工艺得到两面都均匀制备了纳米SiC薄膜的电容极板，一方面纳米SiC的比表面积大使电容器的容纳电荷的本领增大；另一方面采用超高介电常数的钙钛矿结构陶瓷介质使电容器的容纳电荷的本领增大；另外，绝缘的SiC隔板和叠成结构增大了电容器的耐压能力。该叠层超级电容成本低、储能大、耐压高、稳定性好、使用寿命长。
