[00225462]一种SiC-MOSFET的高速隔离驱动保护电路
交易价格：
面议
所属行业：
电子元器件
类型：
实用新型专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201620319583.9
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
徐州中国矿业大学大学科技园有限责任公司
进入空间
所在地：江苏徐州市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本实用新型公开了一种SiC‑MOSFET的高速隔离驱动保护电路，包括高速CMOS数字隔离电路、高速驱动电路、栅源极过压保护电路和负压产生电路。高速CMOS数字隔离电路可以实现输入端和驱动电路的严格电位隔离，并能保证驱动的快速性；高速驱动电路可提供强大的驱动电流；栅源极过压保护电路可以防止栅源极出现过电压；负压产生电路给栅源极间提供一个负电压，使SiC‑MOSFET可靠关断。本实用新型可用在高频电路中快速驱动SiC‑MOSFET，兼具快速性、隔离性，以及可靠的保护功能。
本实用新型公开了一种SiC‑MOSFET的高速隔离驱动保护电路，包括高速CMOS数字隔离电路、高速驱动电路、栅源极过压保护电路和负压产生电路。高速CMOS数字隔离电路可以实现输入端和驱动电路的严格电位隔离，并能保证驱动的快速性；高速驱动电路可提供强大的驱动电流；栅源极过压保护电路可以防止栅源极出现过电压；负压产生电路给栅源极间提供一个负电压，使SiC‑MOSFET可靠关断。本实用新型可用在高频电路中快速驱动SiC‑MOSFET，兼具快速性、隔离性，以及可靠的保护功能。
