[00222195]GHz硅基ScAlN薄膜谐振器及其制作工艺
交易价格：
面议
所属行业：
电子元器件
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201610816703.0
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
重庆大学
进入空间
所在地：重庆重庆市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要：本发明公开了一种GHz硅基ScAlN薄膜谐振器，包括由上至下依次排列的IDT层、第一功能层、第一公共地电极层、第二公地电极层、晶种层、顶层SiO2层、第二功能层、中间夹层SiO2层、结构层和第一Al层，所述IDT层图形化后形成叉指电极和位于叉指电极两端的反射栅；该谐振器还包括第一介质保护层，所述第一介质保护层部分覆盖于IDT层上，部分覆盖于功能层上；所述第一介质保护层上设置有阵列窗口；所述第一介质保护层上设置有上电极层，所述上电极层包括覆盖于阵列窗口侧壁与底壁上的第二Al层以及由阵列窗口的边缘向外延伸形成的第三Al层。本发明通过晶种层的生长，一方面可提高公共电极生长的择优取向，增加电极层与介质层的粘附性，同时，可提高功能层的结晶度。
摘要：本发明公开了一种GHz硅基ScAlN薄膜谐振器，包括由上至下依次排列的IDT层、第一功能层、第一公共地电极层、第二公地电极层、晶种层、顶层SiO2层、第二功能层、中间夹层SiO2层、结构层和第一Al层，所述IDT层图形化后形成叉指电极和位于叉指电极两端的反射栅；该谐振器还包括第一介质保护层，所述第一介质保护层部分覆盖于IDT层上，部分覆盖于功能层上；所述第一介质保护层上设置有阵列窗口；所述第一介质保护层上设置有上电极层，所述上电极层包括覆盖于阵列窗口侧壁与底壁上的第二Al层以及由阵列窗口的边缘向外延伸形成的第三Al层。本发明通过晶种层的生长，一方面可提高公共电极生长的择优取向，增加电极层与介质层的粘附性，同时，可提高功能层的结晶度。
