技术详细介绍
本发明公开了一种半导体发光器件以及制备发光二极管的方法。该方法包括在生长衬底上制备铟镓铝氮基LED多层结构。该方法还包括在所述LED多层结构上沉积欧姆接触层。该方法还包括对所述欧姆接触层的边缘进行修边，从而使所述欧姆接触层的中心表面充分高于边缘。另外，该方法包括在所述LED多层结构之上沉积第一金属邦定层。另外，该方法包括在另一导电衬底上沉积第二金属邦定层。该方法还包括对所述LED多层结构和所述导电衬底进行压焊。此外，该方法包括去除所述生长衬底。
本发明公开了一种半导体发光器件以及制备发光二极管的方法。该方法包括在生长衬底上制备铟镓铝氮基LED多层结构。该方法还包括在所述LED多层结构上沉积欧姆接触层。该方法还包括对所述欧姆接触层的边缘进行修边，从而使所述欧姆接触层的中心表面充分高于边缘。另外，该方法包括在所述LED多层结构之上沉积第一金属邦定层。另外，该方法包括在另一导电衬底上沉积第二金属邦定层。该方法还包括对所述LED多层结构和所述导电衬底进行压焊。此外，该方法包括去除所述生长衬底。
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