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[01924661]微型半导体薄膜电子制冷器

交易价格: 面议

所属行业: 电子元器件

类型: 非专利

技术成熟度: 正在研发

交易方式: 技术转让

联系人:马俊飞

所在地:辽宁沈阳市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

应用范围

用于集成电路芯片的微区制冷、通讯领域中激光二极管等光电设备的控温以及生物医药研究领域中的微区制冷等。

技术简介

有效冷却日趋高功率和高发热密度化的微-纳电子元件是保证半导体器件运行高效、安全、可靠的决定性因素,使用薄膜型电子制冷器进行控温是可行的技术路径之一。金属所利用自主研发的物理气相沉积设备,开发新的合成技术和MEMS加工方法,成功制备具有高效散热功能的微型BiTe基薄膜制冷器件。

主要指标(特点)

微型热电薄膜制冷器件的制备方法与现有半导体加工技术相兼容,可有效调节微-纳尺度范围内的高密度热流,工作响应时间<10ms。器件集成面积<lmm2,厚度<O.6mm,工作电流约200mA时,可以实现约15℃的局部致冷温差,有效散热密度>350W/cm2

应用范围

用于集成电路芯片的微区制冷、通讯领域中激光二极管等光电设备的控温以及生物医药研究领域中的微区制冷等。

技术简介

有效冷却日趋高功率和高发热密度化的微-纳电子元件是保证半导体器件运行高效、安全、可靠的决定性因素,使用薄膜型电子制冷器进行控温是可行的技术路径之一。金属所利用自主研发的物理气相沉积设备,开发新的合成技术和MEMS加工方法,成功制备具有高效散热功能的微型BiTe基薄膜制冷器件。

主要指标(特点)

微型热电薄膜制冷器件的制备方法与现有半导体加工技术相兼容,可有效调节微-纳尺度范围内的高密度热流,工作响应时间<10ms。器件集成面积<lmm2,厚度<O.6mm,工作电流约200mA时,可以实现约15℃的局部致冷温差,有效散热密度>350W/cm2

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