[00134543]室温太赫兹波探测器
交易价格：
面议
所属行业：
电子元器件
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：201010505505.5
交易方式：
技术转让
联系人：
中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
进入空间
所在地：江苏苏州市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明涉及一种室温太赫兹波探测器，以高电子迁移率晶体管为基本结构，且还包括能够有效耦合太赫兹波的天线，天线与高电子迁移率晶体管集成设置，但与高电子迁移率晶体管的源极和漏极彼此独立。进一步的讲，前述源极和漏极之间设有一对蝶形天线，以在电子沟道内产生横向太赫兹电场，而高电子迁移率晶体管的栅极连接在一蝶形天线上，以在电子沟道内产生纵向太赫兹电场。本发明能够有效加强高电子迁移率晶体管栅极对二维等离子体波的调控，实现对太赫兹波的高速、高效、高灵敏度和低噪声探测；同时，本发明能在室温下工作，可显著拓展太赫兹波的应用范围，并节省应用成本；又及，本发明可采用现有半导体微加工技术制造，器件结构微型化，集成度高。
本发明涉及一种室温太赫兹波探测器，以高电子迁移率晶体管为基本结构，且还包括能够有效耦合太赫兹波的天线，天线与高电子迁移率晶体管集成设置，但与高电子迁移率晶体管的源极和漏极彼此独立。进一步的讲，前述源极和漏极之间设有一对蝶形天线，以在电子沟道内产生横向太赫兹电场，而高电子迁移率晶体管的栅极连接在一蝶形天线上，以在电子沟道内产生纵向太赫兹电场。本发明能够有效加强高电子迁移率晶体管栅极对二维等离子体波的调控，实现对太赫兹波的高速、高效、高灵敏度和低噪声探测；同时，本发明能在室温下工作，可显著拓展太赫兹波的应用范围，并节省应用成本；又及，本发明可采用现有半导体微加工技术制造，器件结构微型化，集成度高。
