[00134527]降低GaN外延生长位错集中的微纳米结构及其应用
交易价格：
面议
所属行业：
电子元器件
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：201110040708.6
交易方式：
技术转让
联系人：
中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
进入空间
所在地：江苏苏州市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明涉及一种降低GaN外延生长位错集中的微纳米结构及其应用。该微纳米结构的图形由阵列排布的复数个封闭单元组成，每一封闭单元为由微纳米凸起脊相互连接成的三角形结构或六边形结构，且每一封闭单元在平行于衬底表面的平面内形成的各夹角之和为180°的整数倍；微纳米凸起脊的垂直截面为顶点与底边两个端点之间各由两条曲线连接的多边形截面结构。所述微纳米结构适于制备发光二极管和用于生长GaN基材料。本发明可以将外延生长时的位错缺陷分布在互相连接的凸起脊的顶部上，消除了外延生长过程中的位错集中，避免出现局部高位错密度缺陷区，提高了LED器件的抗静电击穿能力和寿命，同时凸起脊结构还有利于提高LED的取光效率。
本发明涉及一种降低GaN外延生长位错集中的微纳米结构及其应用。该微纳米结构的图形由阵列排布的复数个封闭单元组成，每一封闭单元为由微纳米凸起脊相互连接成的三角形结构或六边形结构，且每一封闭单元在平行于衬底表面的平面内形成的各夹角之和为180°的整数倍；微纳米凸起脊的垂直截面为顶点与底边两个端点之间各由两条曲线连接的多边形截面结构。所述微纳米结构适于制备发光二极管和用于生长GaN基材料。本发明可以将外延生长时的位错缺陷分布在互相连接的凸起脊的顶部上，消除了外延生长过程中的位错集中，避免出现局部高位错密度缺陷区，提高了LED器件的抗静电击穿能力和寿命，同时凸起脊结构还有利于提高LED的取光效率。
