[00134512]具有多重环带结构分布图形的衬底及其制法与应用
交易价格：
面议
所属行业：
电子元器件
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：201110083586.9
交易方式：
技术转让
联系人：
中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
进入空间
所在地：江苏苏州市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明揭示了一种具有多重环带结构的图形衬底及其制备方法和应用，所述图形衬底的图形由阵列排布的复数个多重环带单胞结构组成，每一个多重环带单胞结构包含复数个同心的由大到小嵌套的环形凸起脊，相邻环形凸起脊之间由平面结构或曲面结构连接，环带结构中心为凸起或凹陷结构。本发明适用于制备发光二极管和用于生长GaN基外延材料，可以将外延生长时的位错缺陷分布在环形顶部上，消除了外延生长过程中的位错集中，避免出现局部高位错密度缺陷区，提高了LED器件的抗静电击穿能力和寿命。此外，环带结构还可以在获得高取光效率的同时降低对刻蚀深度的要求，降低图形衬底的制作成本，减小外延生长时间，提高生产效率和产品的性能，降低LED成本。
本发明揭示了一种具有多重环带结构的图形衬底及其制备方法和应用，所述图形衬底的图形由阵列排布的复数个多重环带单胞结构组成，每一个多重环带单胞结构包含复数个同心的由大到小嵌套的环形凸起脊，相邻环形凸起脊之间由平面结构或曲面结构连接，环带结构中心为凸起或凹陷结构。本发明适用于制备发光二极管和用于生长GaN基外延材料，可以将外延生长时的位错缺陷分布在环形顶部上，消除了外延生长过程中的位错集中，避免出现局部高位错密度缺陷区，提高了LED器件的抗静电击穿能力和寿命。此外，环带结构还可以在获得高取光效率的同时降低对刻蚀深度的要求，降低图形衬底的制作成本，减小外延生长时间，提高生产效率和产品的性能，降低LED成本。
