[00134486]基于纳米柱阵列的光电器件及其制作方法
交易价格：
面议
所属行业：
电子元器件
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：201110235828.1
交易方式：
技术转让
联系人：
中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
进入空间
所在地：江苏苏州市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
一种基于纳米柱阵列结构的光电器件及其制作方法。该光电器件包括表面具有纳米柱阵列结构的n型或p型半导体层，该纳米柱阵列上依次生长有垂直结构有源区和横向连续无裂痕的p型或n型区，该p型或n型区上覆设电流扩展层，该n型或p型半导体层和电流扩展层上还分别设有电极；该方法包括对纳米柱阵列模板进行填充、平面化，制作有源区、p型或者n型区、电流扩展层和电极等步骤。本发明解决了传统纳米结构光电器件在制作金属电极时引发的漏电流问题，也能有效防止“自上而下”制备工艺中刻蚀对有源区的表面损伤和“自下而上”制备方法中纳米结构取向不一致的问题，使器件不仅具有纳米结构特性，而且提高了器件成品率及其电学稳定性和可靠性。
一种基于纳米柱阵列结构的光电器件及其制作方法。该光电器件包括表面具有纳米柱阵列结构的n型或p型半导体层，该纳米柱阵列上依次生长有垂直结构有源区和横向连续无裂痕的p型或n型区，该p型或n型区上覆设电流扩展层，该n型或p型半导体层和电流扩展层上还分别设有电极；该方法包括对纳米柱阵列模板进行填充、平面化，制作有源区、p型或者n型区、电流扩展层和电极等步骤。本发明解决了传统纳米结构光电器件在制作金属电极时引发的漏电流问题，也能有效防止“自上而下”制备工艺中刻蚀对有源区的表面损伤和“自下而上”制备方法中纳米结构取向不一致的问题，使器件不仅具有纳米结构特性，而且提高了器件成品率及其电学稳定性和可靠性。
