[00110369]提高蓝白光LED芯片发光效率和寿命的新方法
交易价格：
面议
所属行业：
电子元器件
类型：
非专利
技术成熟度：
正在研发
交易方式：
技术转让
联系人：
厦门大学
进入空间
所在地：福建厦门市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
采用激光诱导技术对P型GaN基LED外延片进行有效的掺杂P型和P型欧姆接触制备，可以提高空穴达5x1018cm－3以上，比接触电阻在2x10－4Ωcm2以下，正向工作电压降到3V，蓝光流明效率提高4％，白光流明效率提高～10％，热阻降低18％，预期工作寿命提高1倍以上。已获得2项发明专利，即将进行鉴定。
应用于各种GaN基材料的电子器件制备（GaN基LED、探测器、场效应效晶体管等）。对改善大功率GaN器件的性能特别明显。本方法的特点是投资少（～150万元）、见效快、回收期短和传统GaN芯片工艺完全兼容，具有完全自主知识产权，市场前景好，技术成熟，利润空间大。
采用激光诱导技术对P型GaN基LED外延片进行有效的掺杂P型和P型欧姆接触制备，可以提高空穴达5x1018cm－3以上，比接触电阻在2x10－4Ωcm2以下，正向工作电压降到3V，蓝光流明效率提高4％，白光流明效率提高～10％，热阻降低18％，预期工作寿命提高1倍以上。已获得2项发明专利，即将进行鉴定。
应用于各种GaN基材料的电子器件制备（GaN基LED、探测器、场效应效晶体管等）。对改善大功率GaN器件的性能特别明显。本方法的特点是投资少（～150万元）、见效快、回收期短和传统GaN芯片工艺完全兼容，具有完全自主知识产权，市场前景好，技术成熟，利润空间大。
