X为了获得更好的用户体验,请使用火狐、谷歌、360浏览器极速模式或IE8及以上版本的浏览器
关于我们
欢迎来到科易网(仲恺)技术转移协同创新平台,请 登录 | 注册
尊敬的 , 欢迎光临!  [会员中心]  [退出登录]
成果 专家 院校 需求
当前位置: 首页 >  科技成果  > 详细页

[00103890]纳米线碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管

交易价格: 面议

所属行业: 电子元器件

类型: 专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:200510018701.9

交易方式: 技术转让

联系人: 湖北工业大学

进入空间

所在地:湖北武汉市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
|
收藏
|

技术详细介绍

内容简介:   纳米线碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管涉及一种新型功率半导体器件制造技术。结合微电子技术工艺,构造用纳米线碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管。它具有高速、耐苛刻环境、低导通电阻等一系列特点,广泛用于数字电子技术等领域。   本产品获得一项专利,专利号:200510018701.9。
内容简介:   纳米线碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管涉及一种新型功率半导体器件制造技术。结合微电子技术工艺,构造用纳米线碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管。它具有高速、耐苛刻环境、低导通电阻等一系列特点,广泛用于数字电子技术等领域。   本产品获得一项专利,专利号:200510018701.9。

推荐服务:

Copyright © 2015 科易网 版权所有 闽ICP备07063032号-5