技术简介： 本实用新型涉及一种变间距电镀槽套件，包括电镀槽箱体、靶材架和样品架，所述的电镀槽箱体上设置有可精确调节和量测靶材架与样品架之间距离的位置标记；该变间距电镀槽套件通过靶材架和样品架的…… 查看详细 >
技术简介： 本实用新型涉及一种硅片甩胶装置，包括设置于甩胶盘本体上的用于放置硅片的凹槽，凹槽中设有支撑硅片的凸台，凹槽的边缘设有固定硅片的台阶，凹槽与一真空通道相连通；甩胶盘本体上端面还设置有…… 查看详细 >
技术简介： 本发明揭示了一种空间光调制器的驱动电路，基于多量子阱的空间光调制器前向连接有一驱动电路，其特征在于：所述驱动电路包括信号相连的数模转换单元和驱动像素阵列，以及信号连接至两者的控制电…… 查看详细 >
技术简介： 一种Ⅲ族氮化物增强型MISHEMT器件，包括源、漏电极，主、副栅，第一、二介质层以及异质结构，源、漏电极通过形成于异质结构中的二维电子气电连接，异质结构包括第一、二半导体，第一半导体设于…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种Ⅲ族氮化物MISHEMT器件，包括源、漏电极，主、副栅，第一、第二介质层以及异质结构，源、漏电极通过形成于异质结构中的二维电子气电连接，异质结构包括第一、第二半导体，第一…… 查看详细 >
技术简介： 本发明揭示了一种高灵敏度紫外探测器的制备方法，该方法以调节宽禁带半导体的材料组分来实现对紫外波段的选择性探测。特别通过在该宽禁带半导体制备表面柱阵列结构，再采用紫外透光导电材料沉积…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种I-V二阶微分测量方法及装置。该装置包括直流信号源、函数发生器、具有分压作用的交直流加法器、前置放大器，锁相放大器及环境条件控制系统；该方法是：将选定频率的交流小信号…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种新型氮化镓基半导体激光器外延结构及其制作方法，本发明采用Al组分渐变的p-AlGaN作为光学限制层，通过极化掺杂的原理,实现三维空穴气。利用本发明可以提高受主Mg杂质的活化效率…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及柔性电子器件制作领域，尤其是一种调控介电层或绝缘层厚度的方法。这种调控柔性电子器件介电层厚度的方法步骤是利用柔性衬底层同时作为介电层或绝缘层；通过对其表面直接或涂覆压印材…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了基于Plasmon增强的量子阱红外探测器及其制备方法，其包括：一SI-GaAs衬底；一位于所述衬底上的AlAs缓冲层；一位于所述缓冲层上的AlAs:Si下接触层；一位于所述下接触层上的多量子阱…… 查看详细 >
技术简介： 本实用新型揭示了一种肼的传感防护系统，包括用于检测气态肼的传感器及报警电路两部分，其中传感器包括底层、传感层和电极层，底层为柔性衬底，柔性衬底的表面中间部分设有传感层，传感层的两侧…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种室温单电子晶体管的制备方法。该方法为：在衬底表面上加工形成单电子晶体管的源极、漏极和栅极，并通过不同试剂的修饰处理令该衬底表面上的电极区域和非电极区域分别负载异种电荷…… 查看详细 >
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