技术简介： 本发明公开了一种I-V二阶微分测量方法及装置。该装置包括直流信号源、函数发生器、具有分压作用的交直流加法器、前置放大器，锁相放大器及环境条件控制系统；该方法是：将选定频率的交流小信号…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种新型氮化镓基半导体激光器外延结构及其制作方法，本发明采用Al组分渐变的p-AlGaN作为光学限制层，通过极化掺杂的原理,实现三维空穴气。利用本发明可以提高受主Mg杂质的活化效率…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及柔性电子器件制作领域，尤其是一种调控介电层或绝缘层厚度的方法。这种调控柔性电子器件介电层厚度的方法步骤是利用柔性衬底层同时作为介电层或绝缘层；通过对其表面直接或涂覆压印材…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了基于Plasmon增强的量子阱红外探测器及其制备方法，其包括：一SI-GaAs衬底；一位于所述衬底上的AlAs缓冲层；一位于所述缓冲层上的AlAs:Si下接触层；一位于所述下接触层上的多量子阱…… 查看详细 >
技术简介： 本实用新型揭示了一种肼的传感防护系统，包括用于检测气态肼的传感器及报警电路两部分，其中传感器包括底层、传感层和电极层，底层为柔性衬底，柔性衬底的表面中间部分设有传感层，传感层的两侧…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种室温单电子晶体管的制备方法。该方法为：在衬底表面上加工形成单电子晶体管的源极、漏极和栅极，并通过不同试剂的修饰处理令该衬底表面上的电极区域和非电极区域分别负载异种电荷…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种在微电子或光电子芯片上的光刻胶沉积的方法，这种方法包括以下步骤：首先选取与芯片(4)厚度一致的基片(1)，在基片(1)上沉积硬掩膜层(2)和光刻胶(3)，用芯片(4)作为掩膜，光刻出中…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种LED外延片的制备方法及装置。该方法是在对衬底基片加热以生长单晶薄膜的过程中，向衬底基片局部施加与导致该衬底基片局部翘曲的力方向相反的压力，使衬底基片保持平整状态。该方…… 查看详细 >
技术简介： 本发明深入微纳光子技术领域的研究，揭示了一种宽谱广角增透亚波长结构的制备方法，其步骤为先在需要宽谱广角增透的基底材料表面蒸镀一定厚度铝或钛的金属膜；而后放入阳极氧化槽装置中进行完全…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种能够在射频波段高速、精确检测太赫兹波信号的射频读出放大装置及其实现方法。该太赫兹探测器的射频读出装置包括太赫兹探测器和由各种射频元件组成的射频电路。本发明的特点在于…… 查看详细 >
技术简介： 本实用新型涉及一种用于化学气相沉积设备中的气体墙结构，包括设置于外管内腔中的内管，内、外管之间留有均匀间隙，该间隙与设置在外管上的进气口连通，内管上沿轴向分布多个连通内管内腔和上述…… 查看详细 >
技术简介： 本实用新型涉及一种用于均匀出气的气体分配器，其一般设置在化学气相淀积设备上的进气段，用来为反应室提供均匀一致的进气。该气体分配器包括相互连通的至少一路进气管和二个以上密闭气体分配腔…… 查看详细 >
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