[00985359]掺铈钒酸钇荧光粉的合成及其光谱特性的研究
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专用化学
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非专利
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该课题首次提出以Ce<'3+>和Gd<'3+>为双激活离子,用高温固相反应法合成了不同掺杂浓度的Ce<'3+>(Gd<'3+>):YVO4红色发射荧光粉。并采用XRD、SEM、荧光光谱等手段对该荧光粉进行表征。测试结果证明适量Ce<'3+>和Gd<'3+>离子的掺杂并不改变合成荧光粉的晶相,但可以进一步敏化Ce<'3+>和Gd<'3+>离子的发光而提高荧光粉的发光强度。其中掺杂Gd<'3+>离子较之单掺杂Ce<'3+>可以使发射光谱发生红移(由469nm移至659nm)。通过激发光谱和发射光谱分析发现,该荧光粉存在较强的近紫外(232nm)和蓝色区(424nm)激发带,同时在659nm处有发射峰,它是一种可应用于GaN基白光LED的红色发射荧光粉。对其它荧光粉的研制同样具有一定理论支持和实验指导意义。
该课题首次提出以Ce<'3+>和Gd<'3+>为双激活离子,用高温固相反应法合成了不同掺杂浓度的Ce<'3+>(Gd<'3+>):YVO4红色发射荧光粉。并采用XRD、SEM、荧光光谱等手段对该荧光粉进行表征。测试结果证明适量Ce<'3+>和Gd<'3+>离子的掺杂并不改变合成荧光粉的晶相,但可以进一步敏化Ce<'3+>和Gd<'3+>离子的发光而提高荧光粉的发光强度。其中掺杂Gd<'3+>离子较之单掺杂Ce<'3+>可以使发射光谱发生红移(由469nm移至659nm)。通过激发光谱和发射光谱分析发现,该荧光粉存在较强的近紫外(232nm)和蓝色区(424nm)激发带,同时在659nm处有发射峰,它是一种可应用于GaN基白光LED的红色发射荧光粉。对其它荧光粉的研制同样具有一定理论支持和实验指导意义。