[00825300]半导体激光泵浦固体激光技术

该项目研制用于泵浦固体激光器(如Nd：YAG)的半导体激光泵浦源，激光发射波长为808nm。采用改进的液相外延(LPE)生长工艺，选用独特的InGaAsP/GaAs材料体系，完成分别限制单量子阱激光器结构生长及后续工艺制作，实现激光器的高功率连续运转。这种激光器由于有源区中不含化学活动性较强的铝，使得激光器具有优越的稳定性，器件的退化速度慢，环境适应性强。国内外技术水平和发展趋势：在高功率无铝半导体激光器研究方面，俄罗斯和美国的研究水平最高。其中，俄罗斯报道在实验室最高数值功率水平为5.3瓦，典型功率数值为1-3瓦，所采用的外延生长方法为液相外延。美国的研究工作较俄罗斯起步较晚，但进步较快，曾经报道了采用MOCVD方法实现单面输出功率3瓦，双面输出功率6瓦。在中国只有长春光机学院重点实验室研制出连续输出功率为1-4瓦，在国内属于首创，并达到国际先进水平。该种激光器的发展趋势是采用MOCVD或MBE方法取代LPE法，进行激光器结构的生长，并实现多元阵列工作。技术成熟程度：实验室水平。主要技术指标：波长：808±3nm；连续输出功率：1-4瓦；应用范围：用于泵浦固体激光器、医疗、测距、引信、红外光源等。鉴定时间：19971000可以进行生产性开发或技术转让。成果转让的必要条件：投资规模：3000万元。投资利用率及回收期：100％，2-3年。规模：5万支/年。市场前景较好。无三废污染。合作方式：技术转让或技术入股。