[00339397]叠层QLED器件及其制备方法和应用
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技术详细介绍
本发明提出了叠层QLED器件及其制备方法，该叠层QLED器件包括：多个层叠设置的量子点发光层；中间连接层，该中间连接层设置在相邻两个量子点发光层之间；其中，中间连接层包括层叠的空穴产生亚层和电子产生亚层。本发明所提出的叠层QLED器件，具有空穴产生亚层/电子产生亚层结构的中间连接层，该中间连接层在电压驱动下可以向相邻的量子点发光层提供电子和空穴，从而提高多个量子点发光层之间的导电性，进而可有效地提高叠层QLED器件整体的导电效率，并在相同的发光亮度下还能降低电流密度，从而降低器件的热损耗，提高叠层QLED器件的使用寿命。