[00339318]一种单片集成半导体器件及其制备方法
联系人：曹老师
所在地：广东深圳市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
登录后向技术服务商咨询
发布技术需求
服务免费，交易还可领红包哦
技术详细介绍
本发明实施例公开了一种单片集成半导体器件及其制备方法，该器件包括：衬底；衬底包括第一区域和围绕第一区域的第二区域；设置于第一区域上的HEMT，HEMT包括沿远离衬底方向依次层叠设置的沟道层、空间层、势垒层及设置于势垒层上的源极和栅极；设置于第二区域上并围绕HEMT设置的LED，LED包括沿远离衬底方向依次层叠设置的n型层、有源层、p型层及设置于p型层上的p型电极；n型层的侧壁与沟道层的侧壁接触。本发明实施例提供的单片集成半导体器件，实现了电压控制LED，并通过设置LED围绕HEMT，增加了LED的n型层和HEMT的沟道层接触面积，提高了电子的注入，改善了电流的均匀性，有效提高了器件的电学性能。