[00329822]一种基于GaxIn1-xAs1-ySby四元半导体的异质结热光伏电池
联系人：科技处
所在地：吉林长春市
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技术详细介绍
本发明涉及一种基于晶格匹配的GaxIn1-xAs1-ySby四元半导体的高转换效率的异质结热光伏电池。器件结构如图所示。本发明的优点：采用N型宽禁Gax1In1-X1As1-y1Sby1/P-型窄禁带Gax2In1-x2As1-y2Sby2异质结作为器件的有源区，由于异型异质结的P区和N区费米能级之差更大，内建电场更高，因此可以提高电池的开路电压；采用P 型宽禁带Gax3In1-x3As1-y3Sby3 作为限制层，能够提供限制P-型窄禁带Gax2In1-x2As1-y2Sby2有源层少子的正面电场，因此可以降低少子的界面复合几率，提高电池的光电转换效率；充分利用GaxIn1-xAs1-ySby四元半导体可独立选择禁带宽度和晶格常数的灵活性，采用晶格匹配的多层异质结提高热光伏电池的性能。
本发明属于热光伏技术领域，应用于低温辐射器热光伏系统，稳定性好， 安全系数高，可以应用于航天、军事、工业、生活等领域，应用前景广泛。