[00326844]LED 外延芯片粗化技术

　　一、成果介绍

　　新一代照明技术的核心发光二极管(LED,light emitting diode） 有着极大的应用前景。不仅在于可以节约能源、减少污染、还具有体积小、寿命长、控制灵活方便等优点。目前,限制 LED 性能提高的主要原因是光提效率不高,导致亮度不高,发热严重,严重影响了以LED 芯片为核心的半导体照明的普及。LED 被称为第四代照明光源或绿色光源,具有节能、环保、寿命长、体积小等特点,可以广泛应用 于各种指示、显示、装饰、背光源、普通照明和城市夜景等领域。目前,限制LED 性能提高的主要原因是取光效率不高,导致亮度不高, 发热严重,严重影响了以 LED 芯片为核心的半导体照明的普及。这些年来,随着半导体照明的不断深入发展,LED 以其高电光转换效率和绿色环保的优势受到越来越广泛的关注。半导体照明产品中的核心组成部分 LED 芯片,其研究与生产技术有了飞速的发展,芯片亮度和可靠性不断提高。在 LED 芯片的研发和生产过程中,器件外量子效率的提高一直是核心内容,因此,取光效率的提高显得至关重要。

　　二、预期市场前景与效益

　　项目详细用途:用于 GaN、GaAs 和GaP 基LED 表面粗化的制备方法主要有两种类型:一是对LED 表面进行外延后即芯片部分的处理, 现有方法主要为:光辅助电化学腐蚀法、强酸和强碱溶液湿法腐蚀法和干法刻蚀等。此类工艺较为复杂,成本较高:二是原位直接生长表 面粗化的 P 型 GaN 层,一般是采用在生长 P 型GaN 时进行降温处理形成 P 型GaN 表面粗化,然而由于现有 P 型 GaN 一般有掺杂镁原子,这会增加粗化的难度,同时由于低温进行粗化会导致电学性质的破坏例如电压会急剧升高,因此降温所形成的 P 型GaN 层粗化表面效果并不理想。

　　因此,提供一种简单且 P 型 GaN 层表面粗化更为明显而且不影响电学性质的粗化表面方法。

　　预期效益说明:可帮助 LED 生产企业获得大幅度的效率和亮度的提高,帮助企业增加 1000 万以上的利润。

　　三、合作方式

　　可技术入股或投资入股