[00314631]基于半导体杂质掺杂的胆甾相液晶的光存储器及存储方法
交易价格：
面议
所属行业：
其他电子信息
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201310234057.3
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
厦门立德软件公司
进入空间
所在地：
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明公开了一种基于半导体杂质掺杂的胆甾相液晶的光存储器。其包括液晶层（1），液晶层（1）的上表面从下到上依次设有上PI取向层（2）、上ITO电极（3）、上玻璃基板（4），液晶层（1）的下表面从上到上依次设有下PI取向层（5）、下ITO电极（6）下玻璃基板（7），所述液晶层（1）的液晶为纳米棒状ZnO颗粒掺杂的胆甾相液晶，所述纳米棒状ZnO颗粒的直径为5-10nm，长度为30-50nm，掺杂浓度为重量百分比0.1%。本发明则对记录介质进行了改进，使用半导体杂质对胆甾相液晶进行掺杂来实现光折变功能，能够对光信号灵敏地响应并记录，并利用胆甾相液晶的双稳态畴来存储光信息。本发明还公开了一种采用如上所述的光存储器进行光信号存储的方法。
本发明公开了一种基于半导体杂质掺杂的胆甾相液晶的光存储器。其包括液晶层（1），液晶层（1）的上表面从下到上依次设有上PI取向层（2）、上ITO电极（3）、上玻璃基板（4），液晶层（1）的下表面从上到上依次设有下PI取向层（5）、下ITO电极（6）下玻璃基板（7），所述液晶层（1）的液晶为纳米棒状ZnO颗粒掺杂的胆甾相液晶，所述纳米棒状ZnO颗粒的直径为5-10nm，长度为30-50nm，掺杂浓度为重量百分比0.1%。本发明则对记录介质进行了改进，使用半导体杂质对胆甾相液晶进行掺杂来实现光折变功能，能够对光信号灵敏地响应并记录，并利用胆甾相液晶的双稳态畴来存储光信息。本发明还公开了一种采用如上所述的光存储器进行光信号存储的方法。
