[00314568]一种阻变存储器及提高阻变存储器擦写电压稳定性的方法
交易价格：
面议
所属行业：
其他电气自动化
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201710160171.4
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
厦门立德软件公司
进入空间
所在地：
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明公开了一种提高阻变存储器(RRAM)的擦(RESET)、写(SET)电压稳定性的方法，利用该种方法制备的阻变存储器包括顶电极、底电极，以及制备于该顶电极与该底电极之间的阻变介质层，且该阻变介质层利用多种氧化物制备成多层的复合结构来代替单一氧化物构成的单层结构，由多种氧化物的共同作用，使该阻变介质层中致使导电细丝形成与断开的电压稳定于一个较小的值附近，从而使该阻变存储器的SET电压与RESET电压稳定于一个较小的值附近。较小且稳定的SET电压与RESET电压能够为RRAM器件外围电路的设计降低难度，提高设计效率，同时还可以降低RRAM器件的功耗。
本发明公开了一种提高阻变存储器(RRAM)的擦(RESET)、写(SET)电压稳定性的方法，利用该种方法制备的阻变存储器包括顶电极、底电极，以及制备于该顶电极与该底电极之间的阻变介质层，且该阻变介质层利用多种氧化物制备成多层的复合结构来代替单一氧化物构成的单层结构，由多种氧化物的共同作用，使该阻变介质层中致使导电细丝形成与断开的电压稳定于一个较小的值附近，从而使该阻变存储器的SET电压与RESET电压稳定于一个较小的值附近。较小且稳定的SET电压与RESET电压能够为RRAM器件外围电路的设计降低难度，提高设计效率，同时还可以降低RRAM器件的功耗。
