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[00314566]一种半导体器件及其制备方法

交易价格： 面议

所属行业： 其他电气自动化

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201710522816.4

交易方式： 技术转让技术转让技术入股

联系人：厦门立德软件公司

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服务承诺: 产权明晰; 资料保密
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技术详细介绍

本申请公开了一种半导体器件及其制备方法，其中，所述半导体器件包括由下至上依次排列的衬底、底电极、三元氧化物薄膜和顶电极。所述半导体器件将钛酸锶材料(三元氧化物AO(ABO3)n)应用于器件结构中，通过对于半导体器件的测试可以看出这种结构的半导体器件随着两端施加电压的升高，半导体器件内部的电流先增大到一极值点后突然变小最终维持在一个平稳状态，呈现出明显的负微分电阻特性。这种结构的半导体器件结构简单，可以实现电子器件的高度集成，且稳定性较高。

[00314566]一种半导 体器件及其制备方法

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