[00314534]一种GaAs基垂直腔面发射激光器及其制造方法
交易价格：
面议
所属行业：
光学仪器
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201710239555.5
交易方式：
技术转让
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联系人：
厦门立德软件公司
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技术详细介绍
本发明公开了一种GaAs基垂直腔面发射激光器及其制造方法，该激光器自下而上依次由n型电极、GaAs衬底、图形化底部反射镜、n型GaAs、n型AlGaAs、InGaAs/AlGaAs有源层、p型AlGaAs、p型GaAs、透明导电层、顶部反射镜、p型电极构成，所述图形化底部反射镜为圆环结构，所述圆环结构的内径为1μm～30μm，所述圆环结构的外径为3μm～50μm；所述图形化底部反射镜由SiO2、TiO2、ZrO2、HfO2、Ta2O5中的两种材料相互交叠而成。本发明还公开了一种GaAs基垂直腔面发射激光器的制备方法。本激光器具有尺寸大小可控、位错密度低、缺陷少，漏电源低、性能稳定、量子效率高等特点。
本发明公开了一种GaAs基垂直腔面发射激光器及其制造方法，该激光器自下而上依次由n型电极、GaAs衬底、图形化底部反射镜、n型GaAs、n型AlGaAs、InGaAs/AlGaAs有源层、p型AlGaAs、p型GaAs、透明导电层、顶部反射镜、p型电极构成，所述图形化底部反射镜为圆环结构，所述圆环结构的内径为1μm～30μm，所述圆环结构的外径为3μm～50μm；所述图形化底部反射镜由SiO2、TiO2、ZrO2、HfO2、Ta2O5中的两种材料相互交叠而成。本发明还公开了一种GaAs基垂直腔面发射激光器的制备方法。本激光器具有尺寸大小可控、位错密度低、缺陷少，漏电源低、性能稳定、量子效率高等特点。
