[00314533]一种边发射半导体激光器件及其制造方法
交易价格：
面议
所属行业：
光学仪器
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201710241366.1
交易方式：
技术转让
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联系人：
厦门立德软件公司
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技术详细介绍
本发明公开了一种边发射半导体激光器件，所述激光器件包括衬底(1)、沉积于所述衬底(1)上的半导体外延层及设于所述半导体外延层的侧面的反射端面(8)和出射端面(9)；所述半导体外延层自下而上包括第一导电包覆层(2)、发光层(3)及第二导电包覆层(4)；所述第二导电包覆层(4)一端设置有第二电极(6)，所述衬底(1)底部或所述第一导电包覆层(2)一端设置有第一电极(7)；所述反射端面(8)上设置有周期介质复合层(10)，所述周期介质复合层(10)由三维的周期性排列介质层(11)和低折射率材料层(12)组成；本发明还公开了一种边发射半导体激光器件的制造方法。本发明器件具有高的反射率，可有效减少谐振腔的腔面损耗。
本发明公开了一种边发射半导体激光器件，所述激光器件包括衬底(1)、沉积于所述衬底(1)上的半导体外延层及设于所述半导体外延层的侧面的反射端面(8)和出射端面(9)；所述半导体外延层自下而上包括第一导电包覆层(2)、发光层(3)及第二导电包覆层(4)；所述第二导电包覆层(4)一端设置有第二电极(6)，所述衬底(1)底部或所述第一导电包覆层(2)一端设置有第一电极(7)；所述反射端面(8)上设置有周期介质复合层(10)，所述周期介质复合层(10)由三维的周期性排列介质层(11)和低折射率材料层(12)组成；本发明还公开了一种边发射半导体激光器件的制造方法。本发明器件具有高的反射率，可有效减少谐振腔的腔面损耗。
