[00306370]具有复合式背镀反射层的发光二极管
交易价格：
面议
所属行业：
其他电子信息
类型：
非专利
技术成熟度：
通过小试
交易方式：
技术转让
联系人：
集美大学
进入空间
所在地：福建厦门市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
以蓝宝石为生长衬底的正装结构氮化铉基发光二极管芯片是目
前第三代照明的核心技术。对于正装结构的氮化铉基发光二极管，为
了提升出光效率，通常在蓝宝石衬底背面加镀一反射镜。目前，行业
主流的技术是采用透明介质堆（如分布式布拉格反射镜，简称DBR）,
或者叠加金属铝组成全方位反射镜（ODR）。这种技术存在散热性能问
题以及反射率仍有提升空间。本专利采用引入式透明黏附层即碳化
硅，实现含银复合式背镀反射层结构的氮化铉基发光二极管芯片，获
得最大化背镀反射率及最优成本构造。相比于行业现有技术具有明显
优越性。
二、 预期市场前景与效益
采用本专利技术的
氮化铉发光二极管芯片
产品可以在最优成本的
条件下有效提高发光效
率，从而提局芯片产品售
价和利润率。
三、 合作方式
专利技术转让
以蓝宝石为生长衬底的正装结构氮化铉基发光二极管芯片是目
前第三代照明的核心技术。对于正装结构的氮化铉基发光二极管，为
了提升出光效率，通常在蓝宝石衬底背面加镀一反射镜。目前，行业
主流的技术是采用透明介质堆（如分布式布拉格反射镜，简称DBR）,
或者叠加金属铝组成全方位反射镜（ODR）。这种技术存在散热性能问
题以及反射率仍有提升空间。本专利采用引入式透明黏附层即碳化
硅，实现含银复合式背镀反射层结构的氮化铉基发光二极管芯片，获
得最大化背镀反射率及最优成本构造。相比于行业现有技术具有明显
优越性。
二、 预期市场前景与效益
采用本专利技术的
氮化铉发光二极管芯片
产品可以在最优成本的
条件下有效提高发光效
率，从而提局芯片产品售
价和利润率。
三、 合作方式
专利技术转让
