本发明公开了一种聚酰亚胺阻变存储器的制备方法,所述存储器由基底、底电极、聚酰亚胺功能层和顶电极构成。
所述制备方法是将合成聚酰亚胺所用的二元胺和二酐单体按1:1-1.03的比例,在酰胺类溶剂中经缩合聚合得到聚酰胺酸溶液,利用旋涂法将聚酰胺酸涂于氧化铟锡玻璃上得到聚酰胺酸薄膜,随后将聚酰胺酸薄膜亚胺化形成聚酰亚胺功能层,在聚酰亚胺功能层上制备顶电极得到聚酰亚胺阻变存储器。
该存储器表现出典型的电双稳态性质,具有良好的电存储性能,开关比大于105,跳变电压约为2V。
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