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[00301310]硅锗合金薄膜材料的制备方法

交易价格： 面议

所属行业： 专用化学

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201010301123.0

交易方式： 技术转让技术转让技术入股

联系人：哈尔滨工业大学

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所在地：黑龙江哈尔滨市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

摘要：硅锗合金薄膜材料的制备方法，它属于硅锗合金薄膜领域。本发明解决了现有工艺制备硅锗合金薄膜存在设备造价高、操作条件苛刻及使用氢气使安全系数降低的问题。本发明方法如下：一、基片依次用丙酮、甲醇和超纯水超声清洗，然后自然晾干；二、配制电解液；三、采用三电极法进行电沉积，即在基片表面获得硅锗合金薄膜材料。本发明采用三电极法进行电沉积，所需设备造价低，方法简单，容易操作，反应无需使用氢气，提高生产的安全系数。

[00301310]硅锗合金薄膜材料的制备方法

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