[00300845]在硅衬底上变温生长InAs/GaSb超晶格红外探测器GaSb缓冲层的方法
交易价格：
面议
所属行业：
其他电气自动化
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201410813122.2
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
哈尔滨工业大学
进入空间
所在地：黑龙江哈尔滨市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要：一种在硅衬底上变温生长InAs/GaSb超晶格红外探测器GaSb缓冲层的方法，其具体步骤如下：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上生长AlSb薄层；步骤3：在AlSb薄层上低温生长GaSb薄层；步骤4：停顿5-10min；步骤5：在GaSb薄层上高温生长GaSb缓冲层；步骤6：在GaSb缓冲层上生长外延层；步骤7：对生长结束后材料进行降温处理，完成在硅衬底上生长红外探测材料GaSb缓冲层的制备。本发明通过在较低温度下生长GaSb薄层，可有效限制外延层与衬底由于晶格失配产生的位错，减少高温下生长的GaSb缓冲层中的缺陷密度，提高外延层质量，具有广阔应用前景与技术优势。
摘要：一种在硅衬底上变温生长InAs/GaSb超晶格红外探测器GaSb缓冲层的方法，其具体步骤如下：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上生长AlSb薄层；步骤3：在AlSb薄层上低温生长GaSb薄层；步骤4：停顿5-10min；步骤5：在GaSb薄层上高温生长GaSb缓冲层；步骤6：在GaSb缓冲层上生长外延层；步骤7：对生长结束后材料进行降温处理，完成在硅衬底上生长红外探测材料GaSb缓冲层的制备。本发明通过在较低温度下生长GaSb薄层，可有效限制外延层与衬底由于晶格失配产生的位错，减少高温下生长的GaSb缓冲层中的缺陷密度，提高外延层质量，具有广阔应用前景与技术优势。
