[00298657]一种纳米有序互穿全氧化物异质结薄膜太阳电池及其制备方法
交易价格：
面议
所属行业：
其他电气自动化
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201710672262.6
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
湖州师范学院
进入空间
所在地：浙江湖州市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要：本发明公开了一种纳米有序互穿全氧化物异质结薄膜太阳电池及其制备方法，利用垂直生长于FTO衬基上的CuO纳米棒阵列作为光子吸收材料和空穴传输材料，TiO2纳米晶体薄膜为电子传输材料，制备了CuO/TiO2纳米有序互穿异质结，并制成以FTO为阴极和Al膜为阳极的太阳电池。发现CuO/TiO2纳米有序互穿异质结太阳电池的开路电压达到0.41V、短路电流密度为7.81uA/cm2；与CuO/TiO2双层平面异质结太阳电池相比，CuO/TiO2纳米有序互穿异质结的路电压提高了1.78倍，短路电流密度增加了16.27倍。
摘要：本发明公开了一种纳米有序互穿全氧化物异质结薄膜太阳电池及其制备方法，利用垂直生长于FTO衬基上的CuO纳米棒阵列作为光子吸收材料和空穴传输材料，TiO2纳米晶体薄膜为电子传输材料，制备了CuO/TiO2纳米有序互穿异质结，并制成以FTO为阴极和Al膜为阳极的太阳电池。发现CuO/TiO2纳米有序互穿异质结太阳电池的开路电压达到0.41V、短路电流密度为7.81uA/cm2；与CuO/TiO2双层平面异质结太阳电池相比，CuO/TiO2纳米有序互穿异质结的路电压提高了1.78倍，短路电流密度增加了16.27倍。
