[00297588]一种氧化物半导体薄膜的制备方法
交易价格：
面议
所属行业：
其他电气自动化
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201710570025.9
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
华中科技大学
进入空间
所在地：湖北武汉市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要：本发明公开了一种氧化物半导体薄膜的制备方法，其制备方法包括如下步骤(1)将半导体胶体量子点溶液放置在静电纺丝平台中，在喷嘴与基板间加电场，使溶液分散雾化，雾化液在绝缘衬底上均匀成膜；(2)用短链配体溶液处理量子点薄膜，以置换掉量子点薄膜表面的长链油酸；(3)去除残余的短链配体及其副产物；(4)在设定温度范围和设定的时间范围内对雾化液所成的膜执行退火处理，获得氧化物半导体薄膜。上述方法中，可以在刚性或柔性衬底上成膜。该制备方法便于调节溶液中各组分质量配比，从而改变薄膜成分，为实验室制备和研究氧化物半导体薄膜提供了新的制备方法和思路，并为大规模生产提供了可能的途径。
摘要：本发明公开了一种氧化物半导体薄膜的制备方法，其制备方法包括如下步骤(1)将半导体胶体量子点溶液放置在静电纺丝平台中，在喷嘴与基板间加电场，使溶液分散雾化，雾化液在绝缘衬底上均匀成膜；(2)用短链配体溶液处理量子点薄膜，以置换掉量子点薄膜表面的长链油酸；(3)去除残余的短链配体及其副产物；(4)在设定温度范围和设定的时间范围内对雾化液所成的膜执行退火处理，获得氧化物半导体薄膜。上述方法中，可以在刚性或柔性衬底上成膜。该制备方法便于调节溶液中各组分质量配比，从而改变薄膜成分，为实验室制备和研究氧化物半导体薄膜提供了新的制备方法和思路，并为大规模生产提供了可能的途径。
