[00297260]一种垂直紫外LED芯片的制备方法
交易价格：
面议
所属行业：
其他电气自动化
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201610196094.3
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
河北工业大学
进入空间
所在地：天津天津市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要：本发明一种垂直紫外LED芯片的制备方法，涉及适用于制造至少有一个电位跃变势垒的专门适用于光发射的半导体器件的方法，采用金属电流扩展层Ni/Ag加上DBR代替垂直紫外LED芯片的金属反射层，其中，金属电流扩展层Ni/Ag中Ni的厚度控制在5～10Å，Ag的厚度控制在10～40Å，DBR是用电子束蒸发的方法先蒸镀一层厚度为4200～4400Å 的SiO2，然后将TiO2和SiO2交替蒸发，蒸发4～20周期，每个蒸发周期中TiO2的厚度均为278～348Å ，SiO2的厚度均为477～596Å，克服了现有技术中金属反射层对光线的吸收，提高了垂直紫外LED芯片的发光亮度。
摘要：本发明一种垂直紫外LED芯片的制备方法，涉及适用于制造至少有一个电位跃变势垒的专门适用于光发射的半导体器件的方法，采用金属电流扩展层Ni/Ag加上DBR代替垂直紫外LED芯片的金属反射层，其中，金属电流扩展层Ni/Ag中Ni的厚度控制在5～10Å，Ag的厚度控制在10～40Å，DBR是用电子束蒸发的方法先蒸镀一层厚度为4200～4400Å 的SiO2，然后将TiO2和SiO2交替蒸发，蒸发4～20周期，每个蒸发周期中TiO2的厚度均为278～348Å ，SiO2的厚度均为477～596Å，克服了现有技术中金属反射层对光线的吸收，提高了垂直紫外LED芯片的发光亮度。
