[00297256]一种钙钛矿单晶材料与微晶硅复合材料结合的薄膜太阳电池及其制备方法
交易价格:
面议
所属行业:
其他电气自动化
类型:
发明专利
技术成熟度:
正在研发
专利所属地:中国
专利号:CN201610589165.6
交易方式:
技术转让
技术转让
技术入股
联系人:
河北工业大学
进入空间
所在地:天津天津市
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对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要:本发明的钙钛矿单晶材料与微晶硅复合材料结合的薄膜太阳能电池涉及专门适用于将光能转换为电能的半导体器件。本发明由底部电极、N型氧化物半导体膜、钙钛矿单晶光吸收层、微晶硅空穴传输层以及顶部电极构成。所述的氧化物半导体薄膜是通过溅射获得的N型的氧化锌半导体薄膜,钙钛矿单晶光吸收层是钙钛矿结构的光吸收材料,空穴传输层是通过化学气相沉积获得的P型微晶硅复合材料,底部和顶部电极是通过热蒸镀获得的铝或银构成的膜,本发明将钙钛矿单晶作为光吸收材料,将P型微晶复合材料作为空穴传输层,获得了更稳定,更高效的太阳电池。
摘要:本发明的钙钛矿单晶材料与微晶硅复合材料结合的薄膜太阳能电池涉及专门适用于将光能转换为电能的半导体器件。本发明由底部电极、N型氧化物半导体膜、钙钛矿单晶光吸收层、微晶硅空穴传输层以及顶部电极构成。所述的氧化物半导体薄膜是通过溅射获得的N型的氧化锌半导体薄膜,钙钛矿单晶光吸收层是钙钛矿结构的光吸收材料,空穴传输层是通过化学气相沉积获得的P型微晶硅复合材料,底部和顶部电极是通过热蒸镀获得的铝或银构成的膜,本发明将钙钛矿单晶作为光吸收材料,将P型微晶复合材料作为空穴传输层,获得了更稳定,更高效的太阳电池。