[00295586]一种电荷俘获存储器及其制备方法
交易价格：
面议
所属行业：
其他电气自动化
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201510264942.5
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
河北大学
进入空间
所在地：河北保定市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要：本发明提供了一种电荷俘获存储器及其制备方法。所述电荷俘获存储器的结构由下至上依次是p‑Si衬底、SiO2隧穿层、Zr0.5Hf0.5O2膜层和电极膜层；所述电极膜层为Au或Pt电极膜层；所述Zr0.5Hf0.5O2膜层是在p‑Si衬底上通过磁控溅射所制成，所述SiO2隧穿层是在形成所述Zr0.5Hf0.5O2膜层后通过退火工艺而形成，所述电极膜层是在所述Zr0.5Hf0.5O2膜层上通过真空蒸镀而形成。本发明通过控制退火温度和退火时间，可得到厚度适中的SiO2隧穿层，合适厚度的SiO2隧穿层和Zr0.5Hf0.5O2膜层中的氧空位对器件有很大的影响，可使器件表现出良好的存储特性和保持特性。
摘要：本发明提供了一种电荷俘获存储器及其制备方法。所述电荷俘获存储器的结构由下至上依次是p‑Si衬底、SiO2隧穿层、Zr0.5Hf0.5O2膜层和电极膜层；所述电极膜层为Au或Pt电极膜层；所述Zr0.5Hf0.5O2膜层是在p‑Si衬底上通过磁控溅射所制成，所述SiO2隧穿层是在形成所述Zr0.5Hf0.5O2膜层后通过退火工艺而形成，所述电极膜层是在所述Zr0.5Hf0.5O2膜层上通过真空蒸镀而形成。本发明通过控制退火温度和退火时间，可得到厚度适中的SiO2隧穿层，合适厚度的SiO2隧穿层和Zr0.5Hf0.5O2膜层中的氧空位对器件有很大的影响，可使器件表现出良好的存储特性和保持特性。
