[00293457]一种锡化物超晶格势垒半导体晶体管
交易价格:
面议
所属行业:
其他电气自动化
类型:
发明专利
技术成熟度:
正在研发
专利所属地:中国
专利号:CN201310640163.1
交易方式:
技术转让
技术转让
技术入股
联系人:
华南师范大学
进入空间
所在地:广东广州市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要:本发明公开了一种锡化物超晶格势垒半导体晶体管,包括超晶格势垒层,所述超晶格势垒层为多个周期的薄膜层交替重叠组成,所述薄膜层由锡化物和另一掺杂的锡化物组成。通过利用新型锡的化合物及其化合物的掺杂来形成一种多周期的超晶格势垒层技术来获得较低位错密度、平滑的HEMT形貌、低的芯片方块电阻,实现高导电性能、高驱动电流与低MOS界面态密度,同时多周期的超晶格势垒层,也提高了沟道层中的二维电子气浓度或二维空穴气浓度。
摘要:本发明公开了一种锡化物超晶格势垒半导体晶体管,包括超晶格势垒层,所述超晶格势垒层为多个周期的薄膜层交替重叠组成,所述薄膜层由锡化物和另一掺杂的锡化物组成。通过利用新型锡的化合物及其化合物的掺杂来形成一种多周期的超晶格势垒层技术来获得较低位错密度、平滑的HEMT形貌、低的芯片方块电阻,实现高导电性能、高驱动电流与低MOS界面态密度,同时多周期的超晶格势垒层,也提高了沟道层中的二维电子气浓度或二维空穴气浓度。