[00293454]一种钙钛矿复合多量子阱LED及其制备方法
交易价格：
面议
所属行业：
其他电气自动化
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201710563461.3
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
华南师范大学
进入空间
所在地：广东广州市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要：本发明提供一种钙钛矿复合多量子阱LED及其制备方法。本发明提供的钙钛矿复合多量子阱LED包括依次设置的衬底、电子注入层、发光层、空穴注入层和电极，所述发光层包括CH3NH3PbBr3薄膜和镶嵌于所述CH3NH3PbBr3薄膜中的CH3NH3PbI3量子点。本发明将较宽带隙的钙钛矿连续相CH3NH3PbBr3薄膜中镶嵌较窄带隙的钙钛矿量子点CH3NH3PbI3，由于钙钛矿的高电子、空穴迁移率和载流子扩散长度，加上量子点的量子效应和二者形成的多量子阱，载流子源源不断地优先导向低势垒的量子阱复合发光；另外，不同组分的钙钛矿间晶格匹配较好，相比其他量子阱结构界面缺陷少，有效减少非辐射复合中心。
摘要：本发明提供一种钙钛矿复合多量子阱LED及其制备方法。本发明提供的钙钛矿复合多量子阱LED包括依次设置的衬底、电子注入层、发光层、空穴注入层和电极，所述发光层包括CH3NH3PbBr3薄膜和镶嵌于所述CH3NH3PbBr3薄膜中的CH3NH3PbI3量子点。本发明将较宽带隙的钙钛矿连续相CH3NH3PbBr3薄膜中镶嵌较窄带隙的钙钛矿量子点CH3NH3PbI3，由于钙钛矿的高电子、空穴迁移率和载流子扩散长度，加上量子点的量子效应和二者形成的多量子阱，载流子源源不断地优先导向低势垒的量子阱复合发光；另外，不同组分的钙钛矿间晶格匹配较好，相比其他量子阱结构界面缺陷少，有效减少非辐射复合中心。
