[00293345]一种基于ZnO/CsPbBr3/MoO3结构的纯无机光电探测器
交易价格：
面议
所属行业：
其他电气自动化
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201710262660.0
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
湖北大学
进入空间
所在地：湖北武汉市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要：本发明提出了一种FTO/ZnO纳米棒/CsPbBr3/MoO3/Au结构的纯无机自驱动光电探测器及其制备方法，其具体结构为FTO衬底层，ZnO纳米棒为电子传输层，CsPbBr3钙钛矿为吸光层，半导体氧化物MoO3为空穴传输层，金属电极是由Au组成。采用旋涂、水浴、两步法合成、蒸镀等方法制备。本发明利用了ZnO纳米棒/CsPbBr3形成的全无机异质结结构及以半导体氧化物MoO3为空穴传输层，使本发明具有高稳定性和低廉成本，且响应度和探测度分别为0.45A/W和1.76×1013cmHz1/2/W，同时器件具有自驱动能力，工作时不需要外加偏压，低功耗工作，节约能源。本发明操作步骤简单，实验成本低廉，具有较好的应用前景。
摘要：本发明提出了一种FTO/ZnO纳米棒/CsPbBr3/MoO3/Au结构的纯无机自驱动光电探测器及其制备方法，其具体结构为FTO衬底层，ZnO纳米棒为电子传输层，CsPbBr3钙钛矿为吸光层，半导体氧化物MoO3为空穴传输层，金属电极是由Au组成。采用旋涂、水浴、两步法合成、蒸镀等方法制备。本发明利用了ZnO纳米棒/CsPbBr3形成的全无机异质结结构及以半导体氧化物MoO3为空穴传输层，使本发明具有高稳定性和低廉成本，且响应度和探测度分别为0.45A/W和1.76×1013cmHz1/2/W，同时器件具有自驱动能力，工作时不需要外加偏压，低功耗工作，节约能源。本发明操作步骤简单，实验成本低廉，具有较好的应用前景。
