当前位置：首页 > 科技成果 > 详细页

[00285740]一种二硫化钼/硅异质结太阳能电池及其制备方法

交易价格： 面议

所属行业： 其他电气自动化

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201510678656.3

交易方式： 技术转让技术转让技术入股

联系人：华中科技大学

进入空间

所在地：湖北武汉市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

登录后向技术服务商咨询

发布技术需求服务免费，交易还可领红包哦

技术详细介绍

摘要：本发明公开了一种二硫化钼/ 硅异质结太阳能电池及其制备方法，化学气相沉积（CVD）方法可制得大面积、均匀、高结晶的二硫化钼膜，该材料具有较高的载流子迁移率且带隙可调控，制备的二硫化钼/ 硅异质结太阳电池具有常温制备、工艺简单、成本低、光电转换效率高等特点，在降低器件成本的同时，能够实现太阳能的有效转换。

[00285740]一种二硫化钼/硅异质结太阳能电池及其制备方法

技术详细介绍

推荐服务：