[00284651]一种氟掺杂的n型氧化亚铜半导体薄膜的制备方法
交易价格：
面议
所属行业：
专用化学
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201510288549.X
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
华中师范大学
进入空间
所在地：湖北武汉市
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- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要：本发明涉及一种氟掺杂的n型氧化亚铜半导体薄膜的制备方法，其特征在于配制二价铜离子盐的酸溶液，调节溶液的pH值为弱酸性，作电解液，在电解液中加入氟的前驱物溶液，然后利用三电极系统，以清洗干净的导电玻璃为工作电极，Pt片为对电极，饱和KCl的Ag/AgCl电极为参比电极，恒电压沉积，制备氟掺杂的n型氧化亚铜半导体薄膜。这种氟掺杂的氧化亚铜薄膜是n型半导体，拥有独特的多孔网状结构，并且表现出很好的光电性能。本发明提供的制备方法步骤简单，操作简易，反应条件温和，环境友好。通过简单的电化学沉积制备方法得到的高性能的氟掺杂的n型氧化亚铜薄膜将在同质结半导体太阳能电池上有广泛的应用。
摘要：本发明涉及一种氟掺杂的n型氧化亚铜半导体薄膜的制备方法，其特征在于配制二价铜离子盐的酸溶液，调节溶液的pH值为弱酸性，作电解液，在电解液中加入氟的前驱物溶液，然后利用三电极系统，以清洗干净的导电玻璃为工作电极，Pt片为对电极，饱和KCl的Ag/AgCl电极为参比电极，恒电压沉积，制备氟掺杂的n型氧化亚铜半导体薄膜。这种氟掺杂的氧化亚铜薄膜是n型半导体，拥有独特的多孔网状结构，并且表现出很好的光电性能。本发明提供的制备方法步骤简单，操作简易，反应条件温和，环境友好。通过简单的电化学沉积制备方法得到的高性能的氟掺杂的n型氧化亚铜薄膜将在同质结半导体太阳能电池上有广泛的应用。
