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[00283250]利用氟离子注入实现的氮化镓PN结

交易价格: 面议

所属行业: 其他电气自动化

类型: 实用新型专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:CN201720295253.5

交易方式: 技术转让 技术转让 技术入股

联系人: 江南大学

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所在地:江苏无锡市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

摘要:本实用新型公开了一种利用氟离子注入实现的氮化镓PN结。该氮化镓PN结包括衬底,位于衬底上的n型氮化镓半导体层和嵌于n型氮化镓半导体层中部区域的p型氮化镓半导体层。其中,n型掺杂氮化镓半导体层上设置有第一电极,p型掺杂氮化镓半导体层上设置有第二电极。本实用新型利用氟离子注入实现氮化镓基PN结,与现行的硅工艺兼容,注入氟离子的浓度和深度分布精确可控,形成的p型氮化镓半导体层具有很高的掺杂均匀性。其制备过程简单,成本低廉。
摘要:本实用新型公开了一种利用氟离子注入实现的氮化镓PN结。该氮化镓PN结包括衬底,位于衬底上的n型氮化镓半导体层和嵌于n型氮化镓半导体层中部区域的p型氮化镓半导体层。其中,n型掺杂氮化镓半导体层上设置有第一电极,p型掺杂氮化镓半导体层上设置有第二电极。本实用新型利用氟离子注入实现氮化镓基PN结,与现行的硅工艺兼容,注入氟离子的浓度和深度分布精确可控,形成的p型氮化镓半导体层具有很高的掺杂均匀性。其制备过程简单,成本低廉。

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