[00283250]利用氟离子注入实现的氮化镓PN结
交易价格:
面议
所属行业:
其他电气自动化
类型:
实用新型专利
技术成熟度:
正在研发
专利所属地:中国
专利号:CN201720295253.5
交易方式:
技术转让
技术转让
技术入股
联系人:
江南大学
进入空间
所在地:江苏无锡市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要:本实用新型公开了一种利用氟离子注入实现的氮化镓PN结。该氮化镓PN结包括衬底,位于衬底上的n型氮化镓半导体层和嵌于n型氮化镓半导体层中部区域的p型氮化镓半导体层。其中,n型掺杂氮化镓半导体层上设置有第一电极,p型掺杂氮化镓半导体层上设置有第二电极。本实用新型利用氟离子注入实现氮化镓基PN结,与现行的硅工艺兼容,注入氟离子的浓度和深度分布精确可控,形成的p型氮化镓半导体层具有很高的掺杂均匀性。其制备过程简单,成本低廉。
摘要:本实用新型公开了一种利用氟离子注入实现的氮化镓PN结。该氮化镓PN结包括衬底,位于衬底上的n型氮化镓半导体层和嵌于n型氮化镓半导体层中部区域的p型氮化镓半导体层。其中,n型掺杂氮化镓半导体层上设置有第一电极,p型掺杂氮化镓半导体层上设置有第二电极。本实用新型利用氟离子注入实现氮化镓基PN结,与现行的硅工艺兼容,注入氟离子的浓度和深度分布精确可控,形成的p型氮化镓半导体层具有很高的掺杂均匀性。其制备过程简单,成本低廉。