[00279167]一种增强太赫兹波的ZnO纳米阵列的制备方法
交易价格：
面议
所属行业：
纳米及超细材料
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201710408066.8
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
昆明理工大学
进入空间
所在地：云南昆明市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明涉及一种增强太赫兹波的ZnO纳米阵列的制备方法，属于纳米材料制备领域。本发明以负载于硅片的单层PS小球为模板，采用直流磁控溅射的方式将ZnO沉积在单层PS小球模板上得到ZnO镶嵌于PS小球模板的结合物，经退火处理得到ZnO纳米量子点，而后通过水热方法生长制备增强太赫兹波的ZnO纳米阵列；本发明方法对设备要求低，工艺简单；制备的ZnO纳米阵列的阵列结构整齐，提高太赫兹波的激发强度与探测灵敏度；本发明方法为制备纳米阵列结构提供了新的思路，在薄膜太阳能电池、气体传感器、生物传感器等领域也具有广泛的应用前景。
本发明涉及一种增强太赫兹波的ZnO纳米阵列的制备方法，属于纳米材料制备领域。本发明以负载于硅片的单层PS小球为模板，采用直流磁控溅射的方式将ZnO沉积在单层PS小球模板上得到ZnO镶嵌于PS小球模板的结合物，经退火处理得到ZnO纳米量子点，而后通过水热方法生长制备增强太赫兹波的ZnO纳米阵列；本发明方法对设备要求低，工艺简单；制备的ZnO纳米阵列的阵列结构整齐，提高太赫兹波的激发强度与探测灵敏度；本发明方法为制备纳米阵列结构提供了新的思路，在薄膜太阳能电池、气体传感器、生物传感器等领域也具有广泛的应用前景。
