[00277855]一种全光二极管的实现方法
交易价格：
面议
所属行业：
光学仪器
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201610925973.5
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
南昌航空大学
进入空间
所在地：江西南昌市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要：本发明公开了一种全光二极管实现方法，在二维光子晶体波导中，旁侧设计一个微腔；在微腔附近的光子晶体波导中增加一个介质柱原胞作为反射层，并且所述反射层的位置向波导正对微腔位置偏离一个晶格常数，当入射光强一直增大时，正向入射的光先达到激发微腔材料的非线性Kerr效应的功率阈值，而反方向入射在此光强下还处于截止状态，从而实现全光二极管功能正向导通、反向截止的功能。本发明通过可调节晶格常数来调节工作波段，便于集成于全光网络中，因此具有较大的应用价值。具有皮秒量级的响应时间，且光子晶体具有可根据调节自身的晶格常数来调节禁带范围的特点。
摘要：本发明公开了一种全光二极管实现方法，在二维光子晶体波导中，旁侧设计一个微腔；在微腔附近的光子晶体波导中增加一个介质柱原胞作为反射层，并且所述反射层的位置向波导正对微腔位置偏离一个晶格常数，当入射光强一直增大时，正向入射的光先达到激发微腔材料的非线性Kerr效应的功率阈值，而反方向入射在此光强下还处于截止状态，从而实现全光二极管功能正向导通、反向截止的功能。本发明通过可调节晶格常数来调节工作波段，便于集成于全光网络中，因此具有较大的应用价值。具有皮秒量级的响应时间，且光子晶体具有可根据调节自身的晶格常数来调节禁带范围的特点。
