[00276773]一步可控合成多种形貌Zn-Cd-S半导体纳米复合材料的制备方法
交易价格：
面议
所属行业：
纳米及超细材料
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201110319761.X
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
南京大学
进入空间
所在地：江苏南京市
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- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
ZnxCd1-xS纳米复合材料的制备方法，在具有温度梯度的管式炉中，以配备有抽真空装置的石英管为反应器，将CdS或ZnS放置于反应器中部，反应温度800-900℃，升温速率400-600℃/小时；相应的将ZnCl2或CdCl2放置于反应器氩气流进气口一端，反应温度300-700℃；表面镀金的Si100片放置于氩气流出气口一侧作为样品生长的衬底，反应温度400-650℃；硫化物和氯化物原料的摩尔比为1∶2-2∶1，氩气吹扫时间0.5-3小时，氩气流速15-60毫升/分钟，x为0.2至0.95。本发明工艺简单、成本低、过程容易控制，无污染，样品形貌丰富、选择性高、重复性好。
ZnxCd1-xS纳米复合材料的制备方法，在具有温度梯度的管式炉中，以配备有抽真空装置的石英管为反应器，将CdS或ZnS放置于反应器中部，反应温度800-900℃，升温速率400-600℃/小时；相应的将ZnCl2或CdCl2放置于反应器氩气流进气口一端，反应温度300-700℃；表面镀金的Si100片放置于氩气流出气口一侧作为样品生长的衬底，反应温度400-650℃；硫化物和氯化物原料的摩尔比为1∶2-2∶1，氩气吹扫时间0.5-3小时，氩气流速15-60毫升/分钟，x为0.2至0.95。本发明工艺简单、成本低、过程容易控制，无污染，样品形貌丰富、选择性高、重复性好。
