[00274831]一种高介电系数复合氧化物电荷存储介质薄膜及应用
交易价格：
面议
所属行业：
其他电气自动化
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201510629080.1
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
南京大学
进入空间
所在地：江苏南京市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
一种高介电系数复合氧化物电荷俘获介质薄膜，其化学组分是两种或两种以上高介电系数氧化物的混合物；复合氧化物薄膜呈非晶状态；复合氧化物薄膜的化学组分用化学式(AOm)x(BOn)1-x来表示，其中0.001≤x≤0.999，m、n由元素A、B的化学价态确定，A、B是+1价、+2价、+3价、+4价、+5价或+6价的金属离子；如Ta2O5、TiO2、Al2O3、ZrO2、La2O3、HfO2。利用具有不同配位数的高介电系数金属氧化物间形成的高缺陷态密度来提高电荷俘获介质的电荷存储密度，有利于电荷俘获型半导体存储器件的进一步小型化。
一种高介电系数复合氧化物电荷俘获介质薄膜，其化学组分是两种或两种以上高介电系数氧化物的混合物；复合氧化物薄膜呈非晶状态；复合氧化物薄膜的化学组分用化学式(AOm)x(BOn)1-x来表示，其中0.001≤x≤0.999，m、n由元素A、B的化学价态确定，A、B是+1价、+2价、+3价、+4价、+5价或+6价的金属离子；如Ta2O5、TiO2、Al2O3、ZrO2、La2O3、HfO2。利用具有不同配位数的高介电系数金属氧化物间形成的高缺陷态密度来提高电荷俘获介质的电荷存储密度，有利于电荷俘获型半导体存储器件的进一步小型化。
