[00274826]紫外光雪崩管成像阵列像元、其应用方法及雪崩管成像阵列
交易价格：
面议
所属行业：
其他电气自动化
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201110072753.X
交易方式：
技术转让
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技术入股
联系人：
南京大学
进入空间
所在地：江苏南京市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明涉及紫外光雪崩管成像阵列像元、其应用方法及由其组成的雪崩管成像阵列。所述紫外光雪崩管成像阵列像元由多个雪崩管探测器并联而成，所述雪崩管探测器由光电二极管、薄膜电阻、金属层顺序连接而成，每个雪崩管探测器中，光电二极管的n型半导体与接触电极连接，成像像元中各个雪崩管探测器的接触电极之间形成电连接作为一个电极，各个雪崩管探测器共用一块完整的金属层，金属层形成紫外光雪崩管成像阵列像元的另一个电极。所述所述雪崩管成像阵列，由多个所述的紫外光雪崩管成像阵列像元组成。本发明的有效效果为：克服了材料本身缺陷密度大而造成的良率过低的问题，该新型结构紫外光雪崩管成像阵列像元良率可以接近并达到100％。
本发明涉及紫外光雪崩管成像阵列像元、其应用方法及由其组成的雪崩管成像阵列。所述紫外光雪崩管成像阵列像元由多个雪崩管探测器并联而成，所述雪崩管探测器由光电二极管、薄膜电阻、金属层顺序连接而成，每个雪崩管探测器中，光电二极管的n型半导体与接触电极连接，成像像元中各个雪崩管探测器的接触电极之间形成电连接作为一个电极，各个雪崩管探测器共用一块完整的金属层，金属层形成紫外光雪崩管成像阵列像元的另一个电极。所述所述雪崩管成像阵列，由多个所述的紫外光雪崩管成像阵列像元组成。本发明的有效效果为：克服了材料本身缺陷密度大而造成的良率过低的问题，该新型结构紫外光雪崩管成像阵列像元良率可以接近并达到100％。
