[00274819]一种基于闪存工艺的三维图像传感器及其操作方法
交易价格：
面议
所属行业：
其他电气自动化
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201410264080.1
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
南京大学
进入空间
所在地：江苏南京市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明提供一种基于标准闪存工艺的三维图像传感器，所述三维传感器结构左右轴对称；包括中间衬底、分别位于中间衬底左侧的左衬底和右侧的右衬底；包括设置于左衬底上方、横跨至中间衬底左存储区上方的左浮栅层，所述左浮栅层上方设置有左读出栅和左控制栅，且所述左读出栅位于左衬底上方、左控制栅位于中间衬底左存储区上方；且左衬底、左浮栅层和左读出栅构成第一读出晶体管；包括设置于中间衬底的中间产生区上方的光电子产生控制栅，所述光电子产生控制栅两侧对称的设置有左电子转移控制栅和右电子转移控制栅，且所述左电子转移控制栅位于左转移区上方、右电子转移控制栅位于右存储区上方；能有效降低单个像素的大小。
本发明提供一种基于标准闪存工艺的三维图像传感器，所述三维传感器结构左右轴对称；包括中间衬底、分别位于中间衬底左侧的左衬底和右侧的右衬底；包括设置于左衬底上方、横跨至中间衬底左存储区上方的左浮栅层，所述左浮栅层上方设置有左读出栅和左控制栅，且所述左读出栅位于左衬底上方、左控制栅位于中间衬底左存储区上方；且左衬底、左浮栅层和左读出栅构成第一读出晶体管；包括设置于中间衬底的中间产生区上方的光电子产生控制栅，所述光电子产生控制栅两侧对称的设置有左电子转移控制栅和右电子转移控制栅，且所述左电子转移控制栅位于左转移区上方、右电子转移控制栅位于右存储区上方；能有效降低单个像素的大小。
